図解入門よくわかる 最新パワー半導体の基本と仕組み 材料・プロセス編

概 要

パワー半導体に興味のあるビジネス関係者や学生を対象に、パワー半導体のテクノロジーを豊富なイラストを使って解説した入門書です。前著『図解入門よくわかる 最新パワー半導体の基本と仕組み』では、パワー半導体の基礎知識全般を広く浅く解説しましたが、本書ではパワー半導体の基盤材料やプロセスについて掘り下げて解説しています。シリコンウェーハの作り方、パワー半導体用ウェーハの動向、次世代パワー半導体として注目を集めるSiCの性質や結晶構造、SiCウェーハビジネスの動向、GaNの特徴や結晶の成長方法、パワー半導体製造プロセスとMOS LSIプロセスとの比較、メーカーの動向まで幅広い知識が身につきます。

著者 佐藤淳一
価格 本体1800円(税別)
ISBN 978-4-7980-3575-8
発売日 2012/12/15
判型 A5
色数 2色
ページ数 194
CD/DVD
対象読者 入門
シリーズ 図解入門
表紙イメージ
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目次

第1章 パワー半導体超入門

1-1 パワー半導体とは?

1-2 パワー半導体の色々なたとえ

1-3 パワー半導体の役割

1-4 パワー半導体の応用分野

1-5 パワー半導体の種類

1-6 パワー半導体の参入メーカ

1-7 “グリーンイノベーション”を開くパワー半導体

第2章 パワー半導体用シリコンウェーハ

2-1 シリコンとは?

2-2 シリコンウェーハの作製法

2-3 パワー半導体用シリコンウェーハの違い

2-4 FZ結晶法の作製法

2-5 ドーピングの仕方は大違い!

2-6 大口径化はどこまで進んでいるか?

2-7 シリコンは限界なのか?

2-8 ウェーハメーカの動向

2-9 ビジネス規模の概要

第3章 シリコンに替るSiC材料

3-1 SiCの優位性

3-2 SiC単結晶の呼び名は様々

3-3 課題の多い昇華法

3-4 エピ膜付きのウェーハとは?

3-5 大口径化に挑む

3-6 低コスト化の道はあるのか?

3-7 シリコン参入メーカの復活は?

3-8 SiCを巡る協業体制

3-9 ダイヤモンド半導体について

第4章 GaNも次世代材料

4-1 化合物半導体について

4-2 色々な応用があるGaN

4-3 Ⅲ-Ⅴ族化合物単結晶の作製法

4-4 GaNの結晶成長

4-5 ヘテロエピタキシャル法について

4-6 参入メーカの紹介

4-7 国際的な協業体制も進む

第5章 パワー半導体プロセス

5-1 MOSトランジスタの違い

5-2 もんじゃ焼きとお好み焼きの違い

5-3 電流を流す工夫

5-4 構造の工夫

5-5 エピタキシャル成長を多用

5-6 裏と表からの露光プロセス

5-7 過剰キャリア抑制が必要

5-8 裏面の活性化はどうするのか?

5-9 薄化ウェーハプロセスとは?

第6章 後工程の違い

6-1 後工程と前工程はこんなに異なる

6-2 ダイシングもちょっと異なる

6-3 ダイボンディングの特徴

6-4 ボンディング用のワイヤも太くなる

6-5 封止材料も変化

6-6 海外展開が進む後工程

6-7 モジュール化の進展

6-8 冷却方法の色々

第7章 パワー半導体メーカの動向

7-1 パワー半導体はモア・ザン・ムーア?

7-2 日本勢が強いパワー半導体

7-3 総合電機メーカは手放さない!

7-4 専業メーカは強みを発揮

7-5 欧州メーカは健闘

7-6 アジア勢は台頭するのか?

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