図解入門よくわかる 最新半導体プロセスの基本と仕組み

シリコンウェーハから半導体ファブ、前工程、後工程までのすべての半導体プロセスの基本と仕組みがわかる入門書です。半導体業界は現在も30兆円近い規模の市場を持つ巨大産業です。本書は、エンジニアの方や半導体関連企業で働く方のために、半導体の作り方を前工程のプロセスから、洗浄・乾燥ウエットプロセス、イオン注入・熱処理プロセス、リソグラフィー・プロセス、エッチング装置、成膜プロセス、平坦化（CMP）プロセス、後工程のプロセスフローまで豊富なイラストと図表を使って、実際の製造現場を知らない方にもイメージしやすく解説しています。また、現場で用いられている専門用語も解説しました。

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第1章 半導体製造プロセスを理解する
1-1 半導体で使用されるシリコンウェーハとは？
1-2 シリコンウェーハはどのように作られるか？
1-3 シリコンの性質とは？
1-4 シリコンウェーハに求められる清浄度
1-5 半導体ファブでどのように使用されるか？
1-6 大口径化が進むシリコンウェーハ
1-7 前工程と後工程の違いとは？
1-8 循環型の前工程半導体プロセス
1-9 フロントエンドとバックエンド
1-10 前工程のファブとは？
1-11 製品化につながる後工程
1-12 後工程で使用されるプロセスとは？

第2章 前工程のプロセスフロー
2-1 微細化を追求する前工程プロセス
2-2 一括でチップを作製する前工程
2-3 “待った”のないプロセスで必要な 検査・モニタリング
2-4 多層配線の比重が大きくなる先端ロジック
2-5 ファブのラインと製造装置ベイ方式とは
2-6 歩留まりの早期立ち上げが必要なわけ

第3章 洗浄・乾燥ウェットプロセス
3-1 常に清浄面を保つ洗浄プロセス
3-2 洗浄の手法・メカニズム
3-3 洗浄の基本～RCA洗浄
3-4 新しい洗浄方法
3-5 バッチ方式か枚葉式かの洗浄装置
3-6 洗浄プロセスのスループット
3-7 洗浄後に欠かせない乾燥プロセス
3-8 新しい乾燥プロセス
3-9 いまだに活躍するウェットプロセス

第4章 イオン注入・熱処理プロセス
4-1 不純物を打ち込むイオン注入技術
4-2 高真空が必要なイオン注入プロセス
4-3 目的で使い分けるイオン注入プロセスと装置
4-4 イオン注入後の欠かせない結晶回復熱処理
4-5 色々な熱処理プロセス
4-6 最新のレーザアニールプロセス
4-7 LSI製造とサーマルバジェット

第5章 リソグラフィープロセス
5-1 下絵を描くリソグラフィープロセス
5-2 基本は写真のリソグラフィープロセス
5-3 微細化を発展させた露光技術の発展
5-4 マスクとペリクル
5-5 印画紙にあたる感光性レジスト
5-6 感光性樹脂を形成するコータ
5-7 露光後に必要な現像プロセス
5-8 不要なレジストを除去するアッシングプロセス
5-9 最新の液浸露光技術
5-10 液浸とダブルパターニング
5-11 更に微細化を追求するEUV技術

第6章 エッチングプロセス
6-1 エッチングプロセスフローと寸法変換差
6-2 色々な手法があるエッチングプロセス
6-3 エッチング装置に欠かせないプラズマとは？
6-4 RF（高周波）印加方式による違いとは？
6-5 異方性のメカニズム
6-6 最新のドライエッチングプロセス

第7章 成膜プロセス
7-1 LSIの機能に欠かせない成膜プロセス
7-2 色々な手法がある成膜プロセス
7-3 下地形状に影響する成膜プロセス
7-4 ウェーハを直接酸化する酸化プロセス
7-5 熱CVDプロセスとプラズマCVDプロセス
7-6 金属膜に必要なスパッタリングプロセス
7-7 Cu（銅）配線に欠かせないメッキプロセス
7-8 low-k（低誘電率膜）にも使用する塗布プロセス
7-9 最新のhigh-kゲートスタックプロセス
7-10 最新のCu/low-kプロセス

第8章 平坦化（CMP）プロセス
8-1 多層配線に欠かせないCMPプロセス
8-2 先端リソグラフィーを生かすCMPプロセス
8-3 ウェットプロセス回帰のCMP装置
8-4 消耗部材の多いCMPプロセス
8-5 CMPの平坦化メカニズム
8-6 Cu/low-kに応用するCMPプロセス
8-7 課題も山積のCMP装置・プロセス

第9章 後工程のプロセスフロー
9-1 不良品をはねるプロ―ビング
9-2 ウェーハを薄くするバックグラインド
9-3 チップに切り出すダイシング
9-4 チップを貼り付けるダイボンディング
9-5 電気的につなぐワイヤボンディング
9-6 チップを収納するモールディング
9-7 製品のためのマーキング・リードフォーミング
9-8 最終の検査工程

第10章 後工程の最新技術
10-1 ワイヤなしで接続するワイヤレスボンディング
10-2 リードフレーム不要のBGA
10-3 多機能化を目指すSiP
10-4 リアルチップサイズのウェーハレベルパッケージ
10-5 チップを貫通するTSV（スルー・シリコン・ビア）
10-6 微細化に挑戦の三次元実装