図解入門 よくわかる最新半導体プロセスの基本と仕組み［第3版］ （単行本）

半導体ビジネスに興味はあるけれど、半導体の解説書は専門的すぎて難しい……。そんな悩みをお持ちではありませんか？ 本書は、半導体ビジネスに興味がある方すべてを対象に、専門外の方にもわかりやすく半導体プロセスを解説した入門書です。製造現場を知らなくても理解しやすいよう、わかりやすい図やイメージ、表を使って解説。シリコン・シリコンウェーハから半導体ファブ、前工程、後工程まで全体をスッキリ俯瞰できます。

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第1章 半導体製造プロセスを理解する
1-1 ひとつかみで見る半導体プロセス
1-2 前工程と後工程の違いとは？
1-3 循環型の前工程半導体プロセス
1-4 フロントエンドとバックエンド
1-5 シリコンウェーハとは？
1-6 シリコンウェーハはどのように作られるか？
1-7 シリコンの性質とは？
1-8 シリコンウェーハに求められる清浄度
1-9 半導体ファブでどのように使用されるか？
1-10 大口径化が進むシリコンウェーハ
1-11 製品化につながる後工程
1-12 後工程で使用されるプロセスとは？

第2章 前工程の概要
2-1 微細化を追求する前工程プロセス
2-2 一括でチップを作製する前工程
2-3 “待った”のないプロセスで必要な検査・モニタリング
2-4 多層配線プロセスに依存する先端ロジック
2-5 前工程のファブとは？
2-6 ファブのライン構成―ベイ方式とは？
2-7 ファブでは歩留まりの早期立ち上げが必要

第3章 洗浄・乾燥ウェットプロセス
3-1 常に清浄面を保つ洗浄プロセス
3-2 洗浄の手法・メカニズム
3-3 洗浄の基本―RCA洗浄
3-4 新しい洗浄方法
3-5 バッチ式と枚葉式の違い
3-6 スループットが重要な洗浄プロセス
3-7 洗浄後に欠かせない乾燥プロセス
3-8 新しい乾燥プロセス
3-9 ウェットプロセスとドライ洗浄

第4章 イオン注入・熱処理プロセス
4-1 不純物を打ち込むイオン注入技術
4-2 高真空が必要なイオン注入プロセス
4-3 目的で使い分けるイオン注入プロセス
4-4 イオン注入後の結晶回復処理とは
4-5 色々な熱処理プロセス
4-6 最新のレーザアニールプロセス
4-7 LSI製造とサーマルバジェット

第5章 リソグラフィプロセス
5-1 下絵を描くリソグラフィプロセス
5-2 リソグラフィプロセスは写真が基本
5-3 微細化を発展させた露光技術の進化
5-4 マスクとペリクル
5-5 印画紙に相当する感光性レジスト
5-6 レジスト膜を塗布するコータ
5-7 露光後に必要な現像プロセス
5-8 不要なレジストを除去するアッシングプロセス
5-9 液浸露光技術の現状
5-10 ダブルパターニングとは
5-11 更に微細化を追求するEUV技術
5-12 スタンプ式のナノインプリント技術

第6章 エッチングプロセス
6-1 エッチングプロセスフローと寸法変換差
6-2 色々な手法があるエッチングプロセス
6-3 エッチングプロセスに欠かせないプラズマとは？
6-4 RF（高周波）印加方式による違いとは？
6-5 異方性のメカニズム
6-6 ドライエッチングプロセスの課題

第7章 成膜プロセス
7-1 LSIの機能に欠かせない成膜プロセス
7-2 色々な手法がある成膜プロセス
7-3 下地形状に影響する成膜プロセス
7-4 ウェーハを直接酸化する酸化プロセス
7-5 熱CVDとプラズマCVD
7-6 金属膜に必要なスパッタリングプロセス
7-7 Cu（銅）配線に欠かせないメッキプロセス
7-8 low-k（低誘電率膜）にも使用する塗布プロセス
7-9 high-kゲートスタックプロセス
7-10 Cu/low-kプロセス

第8章 平坦化（CMP）プロセス
8-1 多層配線に欠かせないCMPプロセス
8-2 先端リソグラフィを生かすCMPプロセス
8-3 ウェットプロセス回帰のCMP装置
8-4 消耗部材の多いCMPプロセス
8-5 CMPの平坦化メカニズム
8-6 Cu/low-kに応用するCMPプロセス
8-7 課題も山積のCMPプロセス

第9章 後工程プロセスの概要
9-1 不良品を除くプロービング
9-2 ウェーハを薄くするバックグラインド
9-3 チップに切り出すダイシング
9-4 チップを貼り付けるダイボンディング
9-5 電気的につなぐワイヤボンディング
9-6 チップを収納するモールディング
9-7 製品のためのマーキング・リードフォーミング
9-8 最終の検査工程

第10 章 後工程の最新動向
10-1 ワイヤなしで接続するワイヤレスボンディング
10-2 リードフレーム不要のBGA
10-3 多機能化を目指すSiP
10-4 リアルチップサイズのウェーハレベルパッケージ

第11章 半導体プロセスの今後の動向
11-1 ロードマップと“オフ”ロードマップ
11-2 岐路に立つ半導体プロセスの微細化
11-3 モア・ムーアに必要なNGLは？
11-4 EUV技術動向
11-5 自己組織化リソグラフィとは？
11-6 450mmウェーハの動向
11-7 半導体ファブの多様化
11-8 チップを貫通するTSV（スルー・シリコン・ビア）
11-9 高密度化に挑戦の三次元実装